Samsung’un 512GB DDR5 modülü, RAM’in geleceği için bir vitrin
Yeni RAM kapasite seviyeleri çok daha yüksek hızları, kapasite ve güç tasarrufunu müjdeliyor.
Samsung, DDR5 belleğin hız ve kapasite açısından potansiyelini gösteren yeni bir RAM modülünü tanıttı.
Samsung, 512GB DDR5 modülünün DDR4’ün iki katından fazla 7.200 Mbps hız sunan High-K Metal Gate (HKMG) teknolojisini ilk kullanan modül olduğunu söyledi. Şimdilik, özellikle büyük veri, süper bilgisayarlar, yapay zeka ve makine öğrenimi işlevlerini hedeflese de yakında masaüstü ve oyun bilgisayarlarına gelmesi beklenebilir.
Samsung, GPU’larda kullanılan GDDR6 yongaları ile ilk olarak 2018 yılında HKMG teknolojisini kullandı. Intel tarafından geliştirilen bu ürün, normal polisilikon geçit elektrotlarının yerini alan metallerle silikon yerine hafniyum kullanıyor. Tüm bunlar, akım sızıntısını azaltırken daha yüksek yoğunluklara izin veriyor.
Her bir yonga, 128 Gb veya 16 GB kapasite için sekiz kat 16 Gb DRAM yongası kullanıyor. Bu nedenle Samsung’un 512GB RAM modülü yapmak için bunlardan 32 tanesine ihtiyacı olacak. Daha yüksek hız ve kapasitenin yanı sıra Samsung; çipin HKMG olmayan modüllere göre yüzde 13 daha az güç kullandığını söyledi – veri merkezleri için bu ideal olsa da normal PC’ler için de o kadar kötü olmadığı söylenebilir.
7.200 Mbps hızıyla Samsung’un en son modülü, tek bir kanalda yaklaşık 57.6 GB / s aktarım hızı sunacak. Samsung’un basın açıklamasında Intel, belleğin yeni nesil “Sapphire Rapids” Xeon Ölçeklenebilir işlemcileriyle uyumlu olacağı özellikle belirtiliyor.
